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名稱：藍寶石/氧化鋁(Al2O3)晶體基片
Al2O3單晶（Sapphire，又稱白寶石，藍寶石）有著很好的熱特性，極好的電氣特性和介電特性，并且防化學腐蝕，它耐高溫，導熱好，硬度高，透紅外，化學穩定性好。廣泛用于耐高溫紅外窗口材料和III-V族氮化物及多種外延薄膜基片材料，為滿足日益增長的藍、紫、白光發光二極管（LED）和藍光激光器（LD）的需要，科晶公司專業生產高質量的藍寶石晶體和外延拋光基片，將為您提供大量高質量低價格的單晶和基片
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晶體結構： |
六方 a =4.758 ? c= 12.992 ? |
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結晶方向： |
(11-20 ) - a plane：2.379 ? (1-102) - r plane：3.479? (30-30) - m plane：1.375 ? (0006) - c plane：2.165 ? |
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單晶純度： |
> 99.99% |
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熔點： |
2040 ℃ |
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密度： |
3.98 g/cm3 |
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硬度： |
9 (mohs) |
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熱膨脹： |
7.5 (x10-6/ oC) |
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熱容： |
0.10( cal / oC) |
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熱導： |
46.06 @ 0 oC 25.12 @ 100 oC, 12.56 @ 400 oC ( W/(m.K) ) |
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介電常數： |
~ 9.4 @300K at A axis ~ 11.58@ 300K at C axis |
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正切損耗： |
< 2x10-5 at A axis , <5 x10-5 at C axis |
1、 C-Plane藍寶石基板
廣泛使用的供GaN生長的藍寶石基板面.這主要是因為藍寶石晶體沿C軸生長的工藝成熟、成本相對較低、物化性能穩定,在C面進行磊晶的技術成熟穩定。
2、R-Plane或M-Plane藍寶石基板
主要用來生長非極性/半極性面GaN外延薄膜,以提高發光效率.通常在藍寶石基板上制備的GaN外延膜是沿c軸生長的，c軸是GaN的極性軸，導致GaN基器件有源層量子阱中出現很強的內建電場，發光效率會因此降低，發展非極性面GaN外延，克服這一物理現象，使發光效率提高。
3、 圖案化藍寶石基板(Pattern Sapphire Substrate簡稱PSS)
以成長(Growth)或蝕刻(Etching)的方式,在藍寶石基板上設計制作出納米級特定規則的微結構圖案藉以控制LED之輸出光形式，并可同時減少生長在藍寶石基板上GaN之間的差排缺陷，改善磊晶質量，并提升LED內部量子效率、增加光萃取效率。
4、此外，可按客戶要求加工定制藍寶石棱鏡、表鏡、透鏡、孔件、錐臺等各種結構件。
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晶向： |
C, A, M, R 公差：±0.5度 |
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尺寸： |
dia6“x1.1mm dia4”x0.65mm dia3“x0.5mm, dia2”x0.43mm,10x10x0.4mm,15x15x0.4mm, 15x15x0.4mm, 20x20x0.4mm等各種尺寸 |
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拋光情況： |
單拋、雙拋 |
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表面粗糙度： |
Ra<3A（5*5μm范圍內） |
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注：可按客戶需求定制相應的方向和尺寸。 |
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